2025年12月17日 星期三

官方微信

知识产权 首页 > 科技创新 > 知识产权

1、授权专利明细表

序号专利类别专利名称专利号专利状态申请日期授权日期
1实用一种高功率的可调实验电源ZL202221725201.4授权2022/7/62022/11/29
2实用一种气象监测装置ZL202122494442.4授权2021/10/152022/3/8
3实用一种光强探测器ZL202220090290.3授权2022/1/132022/7/22
4实用基于IP协议无线个域网的温度采集系统ZL202222251739.2授权2022/8/262023/3/21
5实用一种无线PH值检测设备ZL202223574412.5授权2022/12/302023/5/2
6实用一种基于蓝牙传输的 PH 值采集装置ZL202321665346.4授权2023/6/282023/12/8
7实用一种基于介电弹性体形变测量装置ZL202420050879.X授权2024/1/92024/11/22
8实用一种可烘干的果蔬分拣装置ZL202323588301.4授权2023/12/272024/11/22
9实用一种基于AI智能推送算法的终端设备ZL202323288375.6授权2023/12/42024/8/16
10实用一种果蔬红外烘干装置ZL202323318790.1授权2023/12/62024/8/16
11实用一种高速信号传输线的接地装置ZL202323514372.X授权2023/12/212024/10/25
12发明一种高速信号平行双线转换为双端口的转换装置ZL202323514372.X授权2023/12/212024/7/19
13发明一种多元低温共烧陶瓷LTCC微波射频电路及使用其的方法ZL201510400788.X授权2015/7/82017/11/6
14发明一种抗干扰可调巨磁阻效应电流传感器ZL201510393733.0授权2015/7/32017/11/7
15发明一种调谐天线及调谐方法ZL201510220934.0授权2015/4/302017/6/30
16发明一种超高频和高频射频识别标签及其信号传输方法ZL201510218400.4授权2015/4/302017/9/26
17发明一种低频射频识别标签及信号发送方法ZL201510216963.X授权2015/4/302017/12/21
18发明LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法ZL201510140967.4授权2015/3/272017/3/15
19发明一种金属基薄膜传感器的制备方法ZL201510104491.9授权2015/3/102017/6/9
20发明一种流体环境影响下的群体行为控制方法ZL201410564384.5授权2014/10/222017/7/25
21发明一种流体环境下人体运动仿真方法ZL201410568918.6授权2014/10/222017/8/15
22发明一种恐慌人群逃生模拟方法ZL201410566003.1授权2014/10/222017/9/26
23发明泡沫状碳纳米管材料、制备方法、散热结构及测定方法ZL201410188697.X授权2014/5/62015/7/29
24发明一种基于阶梯波的多卷波电路ZL201310713483.5授权2013/12/232017/1/18
25发明一种基于Hadoop的车辆拥挤度获取方法ZL201310688009.1授权2013/12/162017/5/24
26发明一种单管软开关BUCK变换器ZL201310652645.9授权2013/12/52016/3/2
27发明一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOSZL201310638191.X授权2013/11/272016/2/3
28发明一种非确定性资源需求多播虚拟网络的抗毁映射方法ZL201310602579.4授权2013/11/252016/6/22
29发明一种FS-IGBT器件阳极的制造方法ZL201310585511.X授权2013/11/192016/3/23
30发明一种通过云平台到数据中心的查询系统及方法ZL201310578744.7授权2013/11/182016/6/22
31发明一种业务需求感知的虚拟数据中心映射方法ZL201310488026.0授权2013/11/172016/10/26
32发明一种节能数据中心的虚拟机迁移方法ZL201310487895.1授权2013/11/172015/12/23
33发明一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管ZL201310568187.0授权2013/11/142015/11/18
34发明一种刚挠结合印制电路板的制备方法ZL201310534682.X授权2013/11/12016/6/1
35发明具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法ZL201310422648.3授权2013/9/172016/2/3
36发明一种绝缘栅双极型晶体管ZL201310420417.9授权2013/9/162016/3/2
37发明一种超结功率器件及其制造方法ZL201310420420.0授权2013/9/162016/5/11
38发明一种横向高压超结功率半导体器件ZL201310421765.8授权2013/9/162016/4/20
39发明一种车载自组织网络单接口多信道切换方法ZL201310406497.2授权2013/9/92016/3/23
40发明一种基于流的网络接入控制方法ZL201310397842.0授权2013/9/52016/5/18
41发明一种动态障碍物影响下流体的仿真方法ZL201310396034.2授权2013/9/42016/7/6
42发明一种流体环境下的关节动画建模技术ZL201310387419.2授权2013/8/302016/8/31
43发明一种横向高压MOSFET及其制造方法ZL201310356773.9授权2013/8/162017/7/28
44发明一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器ZL201310355803.4授权2013/8/152016/8/31
45发明一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件ZL201310350487.1授权2013/8/132016/8/31
46发明一种部分SOI超结高压功率半导体器件ZL201310345306.6授权2013/8/92014/3/12
47发明一种片式电子元器件内电极的制备方法ZL201310322790.0授权2013/7/292016/6/8
48发明一种RC-IGBT器件及其制作方法ZL201310300668.3授权2013/7/172015/12/23
49发明一种RC-LIGBT器件及其制作方法ZL201310300568.0授权2013/7/172015/9/9
50发明一种具有结型场板的功率LDMOS器件ZL201310202668.X授权2013/5/282015/10/21
51发明一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件ZL201310202568.7授权2013/5/282015/7/29
52发明具有肖特基接触终端的快恢复二极管ZL201310179865.4授权2013/5/152016/3/23
53发明一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法ZL201310177386.9授权2013/5/142015/6/17
54发明一种横向高压功率器件的结终端结构ZL201310174274.8授权2013/5/132015/6/17
55发明绝缘栅双极型晶体管均流输出电路ZL201310136045.7授权2013/4/182015/7/29
56发明一种横向高压功率半导体器件的结终端结构ZL201310078793.4授权2013/3/132015/4/15
57发明一种超结LDMOS器件ZL201310077827.8授权2013/3/122015/6/24
58发明一种碳微纳米材料与氮化铝的复合薄膜的制备方法ZL201310015091.1授权2013/1/162015/4/15
59发明一种槽型半导体功率器件的制造方法ZL201210226462.6授权2012/7/32013/1/9
60发明一种具有低导通压降的P-i-N二极管ZL201210191065.X授权2012/6/122014/6/18
61发明一种低开启电压二极管ZL201210186331.X授权2012/6/72015/5/27
62发明一种双阳极短接的IGBT器件ZL201210068388.X授权2012/3/152014/1/15
63发明一种积累型槽栅二极管ZL201210049361.6授权2012/2/292014/6/4
64发明一种具有P型埋层结构的槽栅二极管ZL201210049388.5授权2012/2/292013/3/13
65发明一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件ZL201110386133.3授权2011/11/292013/9/25
66发明一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管ZL201110351748.2授权2011/11/92013/5/29
67发明一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法ZL201110051845.X授权2011/3/42011/7/27
68发明一种基于热流耦合分析技术的硫化炉的设计方法ZL201010618956.X授权2010/12/312011/12/14
69发明一种氧化锌纳米线阵列的制备方法ZL201010609908.4授权2010/12/282012/9/19
70发明一种管绞机滚筒ZL201010604825.6授权2010/12/242011/7/27
71...





电子科技大学广东电子信息工程研究院汕尾分院

电 话:0660-3926999

地 址:汕尾高新区红草园区三和路09号光明创新创业中心2号楼六楼。 粤ICP备16061242号

微 信:swfyieie (或搜索“汕尾电子信息工程研究院”)

官方微信

地址定位