1

发明

一种多元低温共烧陶瓷LTCC微波射频电路及使用其的方法

ZL201510400788.X

授权

2015/7/8

2017/11/6

2

发明

一种抗干扰可调巨磁阻效应电流传感器

ZL201510393733.0

授权

2015/7/3

2017/11/7

3

发明

一种调谐天线及调谐方法

ZL201510220934.0

授权

2015/4/30

2017/6/30

4

发明

一种超高频和高频射频识别标签及其信号传输方法

ZL201510218400.4

授权

2015/4/30

2017/9/26

5

发明

一种低频射频识别标签及信号发送方法

ZL201510216963.X

授权

2015/4/30

2017/12/21

6

发明

LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法

ZL201510140967.4

授权

2015/3/27

2017/3/15

7

发明

一种金属基薄膜传感器的制备方法

ZL201510104491.9

授权

2015/3/10

2017/6/9

8

发明

一种流体环境影响下的群体行为控制方法

ZL201410564384.5

授权

2014/10/22

2017/7/25

9

发明

一种流体环境下人体运动仿真方法

ZL201410568918.6

授权

2014/10/22

2017/8/15

10

发明

一种恐慌人群逃生模拟方法

ZL201410566003.1

授权

2014/10/22

2017/9/26

11

发明

泡沫状碳纳米管材料、制备方法、散热结构及测定方法

ZL201410188697.X

授权

2014/5/6

2015/7/29

12

发明

一种基于阶梯波的多卷波电路

ZL201310713483.5

授权

2013/12/23

2017/1/18

13

发明

一种基于Hadoop的车辆拥挤度获取方法

ZL201310688009.1

授权

2013/12/16

2017/5/24

14

发明

一种单管软开关BUCK变换器

ZL201310652645.9

授权

2013/12/5

2016/3/2

15

发明

一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS

ZL201310638191.X

授权

2013/11/27

2016/2/3

16

发明

一种非确定性资源需求多播虚拟网络的抗毁映射方法

ZL201310602579.4

授权

2013/11/25

2016/6/22

17

发明

一种FS-IGBT器件阳极的制造方法

ZL201310585511.X

授权

2013/11/19

2016/3/23

18

发明

一种通过云平台到数据中心的查询系统及方法

ZL201310578744.7

授权

2013/11/18

2016/6/22

19

发明

一种业务需求感知的虚拟数据中心映射方法

ZL201310488026.0

授权

2013/11/17

2016/10/26

20

发明

一种节能数据中心的虚拟机迁移方法

ZL201310487895.1

授权

2013/11/17

2015/12/23

21

发明

一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管

ZL201310568187.0

授权

2013/11/14

2015/11/18

22

发明

一种刚挠结合印制电路板的制备方法

ZL201310534682.X

授权

2013/11/1

2016/6/1

23

发明

具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法

ZL201310422648.3

授权

2013/9/17

2016/2/3

24

发明

一种绝缘栅双极型晶体管

ZL201310420417.9

授权

2013/9/16

2016/3/2

25

发明

一种超结功率器件及其制造方法

ZL201310420420.0

授权

2013/9/16

2016/5/11

26

发明

一种横向高压超结功率半导体器件

ZL201310421765.8

授权

2013/9/16

2016/4/20

27

发明

一种车载自组织网络单接口多信道切换方法

ZL201310406497.2

授权

2013/9/9

2016/3/23

28

发明

一种基于流的网络接入控制方法

ZL201310397842.0

授权

2013/9/5

2016/5/18

29

发明

一种动态障碍物影响下流体的仿真方法

ZL201310396034.2

授权

2013/9/4

2016/7/6

30

发明

一种流体环境下的关节动画建模技术

ZL201310387419.2

授权

2013/8/30

2016/8/31

31

发明

一种横向高压MOSFET及其制造方法

ZL201310356773.9

授权

2013/8/16

2017/7/28

32

发明

一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器

ZL201310355803.4

授权

2013/8/15

2016/8/31

33

发明

一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件

ZL201310350487.1

授权

2013/8/13

2016/8/31

34

发明

一种部分SOI超结高压功率半导体器件

ZL201310345306.6

授权

2013/8/9

2014/3/12

35

发明

一种片式电子元器件内电极的制备方法

ZL201310322790.0

授权

2013/7/29

2016/6/8

36

发明

一种RC-IGBT器件及其制作方法

ZL201310300668.3

授权

2013/7/17

2015/12/23

37

发明

一种RC-LIGBT器件及其制作方法

ZL201310300568.0

授权

2013/7/17

2015/9/9

38

发明

一种具有结型场板的功率LDMOS器件

ZL201310202668.X

授权

2013/5/28

2015/10/21

39

发明

一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件

ZL201310202568.7

授权

2013/5/28

2015/7/29

40

发明

具有肖特基接触终端的快恢复二极管

ZL201310179865.4

授权

2013/5/15

2016/3/23

41

发明

一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法

ZL201310177386.9

授权

2013/5/14

2015/6/17

42

发明

一种横向高压功率器件的结终端结构

ZL201310174274.8

授权

2013/5/13

2015/6/17

43

发明

绝缘栅双极型晶体管均流输出电路

ZL201310136045.7

授权

2013/4/18

2015/7/29

44

发明

一种横向高压功率半导体器件的结终端结构

ZL201310078793.4

授权

2013/3/13

2015/4/15

45

发明

一种超结LDMOS器件

ZL201310077827.8

授权

2013/3/12

2015/6/24

46

发明

一种碳微纳米材料与氮化铝的复合薄膜的制备方法

ZL201310015091.1

授权

2013/1/16

2015/4/15

47

发明

一种槽型半导体功率器件的制造方法

ZL201210226462.6

授权

2012/7/3

2013/1/9

48

发明

一种具有低导通压降的P-i-N二极管

ZL201210191065.X

授权

2012/6/12

2014/6/18

49

发明

一种低开启电压二极管

ZL201210186331.X

授权

2012/6/7

2015/5/27

50

发明

一种双阳极短接的IGBT器件

ZL201210068388.X

授权

2012/3/15

2014/1/15

51

发明

一种积累型槽栅二极管

ZL201210049361.6

授权

2012/2/29

2014/6/4

52

发明

一种具有P型埋层结构的槽栅二极管

ZL201210049388.5

授权

2012/2/29

2013/3/13

53

发明

一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件

ZL201110386133.3

授权

2011/11/29

2013/9/25

54

发明

一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

ZL201110351748.2

授权

2011/11/9

2013/5/29

55

发明

一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法

ZL201110051845.X

授权

2011/3/4

2011/7/27

56

发明

一种基于热流耦合分析技术的硫化炉的设计方法

ZL201010618956.X

授权

2010/12/31

2011/12/14

57

发明

一种氧化锌纳米线阵列的制备方法

ZL201010609908.4

授权

2010/12/28

2012/9/19

58

发明

一种管绞机滚筒

ZL201010604825.6

授权

2010/12/24

2011/7/27

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